DMG8601UFG
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 136°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R θ JA (t)
D = 0.005
-T
t 2
Duty Cycle, D = t 1 2
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 12 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
A1
e
b
A3 SEATING PLANE
Dim
A
A1
U-DFN3030-8
Min Max Typ
0.57
0.63 0.60
0 0.05 0.02
E
E2
R0
.2
00
A3
b
D
D2
e
? ? 0.15
0.29  0.39 0.34
2.90
3.10 3.00
2.19 2.39 2.29
? ? 0.65
E
2.90 3.10 3.00
L
E2
L
1.64 1.84 1.74
0.30 0.60 0.45
D2
All Dimensions in mm
D
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Z
Dimensions Value (in mm)
Z
2.59
X 1
G
X1
X2
Y
0.11
2.49
0.65
0.39
X2
Y
C
G
C
0.65
DMG8601UFG
Document number: DS31788 Rev. 5 - 2
5 of 6
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料
DMG8822UTS-13 MOSFET ARRAY 20V 4.9A 8TSSOP
DMG8880LK3-13 MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
DMG9926UDM-7 MOSFET N-CH DUAL 20V 4.2A SOT-26
DMG9926USD-13 MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
DMN100-7 MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
DMN1019UFDE-7 MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
DMN2004DMK-7 MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26
DMN2004DWK-7 MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-363
相关代理商/技术参数
DMG8822UTS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMG8822UTS-13 功能描述:MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMG8880LK3 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMG8880LK3-13 功能描述:MOSFET N-Ch FET VDSS 20V VGSS 20V PD 1.68W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMG8880LSS 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH W DIO 30V 11.6A SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIO, 30V, 11.6A, SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIO, 30V, 11.6A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.007ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V ;RoHS Compliant: Yes
DMG8880LSS-13 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMG904010R 功能描述:两极晶体管 - BJT COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DMG963010R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel